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首页 全部分类 IRG4BC30F-SPBF vs SGW23N60UFDTM

IRG4BC30F-SPBF备选型号: SGW23N60UFDTM

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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 反向恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30F-SPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 31A 100W D2PAK
    11 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK
    260.39037mg
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    600V
    100W
    31A
    IRG4BC30F-SPBF
    Single
    100W
    Standard
    100W
    15ns
    1.8V
    31A
    600V
    1.8V @ 15V, 17A
    51nC
    120A
    21ns/200ns
    230μJ (on), 1.18mJ (off)
    4.83mm
    10.5156mm
    4.699mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    SGW23N60UFDTM
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 23A 100W D2PAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK
    -
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    600V
    100W
    12A
    SG*23N60
    Single
    100W
    Standard
    100W
    -
    600V
    23A
    600V
    2.6V @ 15V, 12A
    49nC
    92A
    17ns/60ns
    115μJ (on), 135μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2.1V
    42 ns
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