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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.670653
10
¥10.066654
100
¥9.496843
500
¥8.959285
1000
¥8.452158
ON Semiconductor SGW23N60UFDTM
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SGW23N60UFDTM
1807-SGW23N60UFDTM
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 600V 23A 100W D2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SGW23N60UFDTM详情
ON Semiconductor SGW23N60UFDTM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1V
Current-Collector (Ic) (Max)
23A
Test Conditions
300V, 12A, 23Ohm, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
100W
额定电流
12A
基本部件号
SG*23N60
元素配置
Single
功率耗散
100W
输入类型
Standard
功率 - 最大
100W
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
23A
反向恢复时间
42 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.6V @ 15V, 12A
闸门收费
49nC
集极脉冲电流(Icm)
92A
Td(开/关)@25°C
17ns/60ns
开关能量
115μJ (on), 135μJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
SGW23N60UFDTM拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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