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首页 全部分类 IRG4BC30FD1PBF vs IRG4BC30SPBF

IRG4BC30FD1PBF备选型号: IRG4BC30SPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 接通延迟时间
  • 最大下降时间 (tf)
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30FD1PBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 31A 100W TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    600V
    100W
    31A
    Single
    100W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    24ns
    N-CHANNEL
    1.8V
    31A
    46 ns
    TO-220AB
    46 ns
    1.8V @ 15V, 17A
    740 ns
    57nC
    124A
    22ns/250ns
    370μJ (on), 1.42mJ (off)
    20V
    6V
    15.24mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30SPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 34A 100W TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    1.4V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    600V
    100W
    34A
    Dual
    100W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    18ns
    N-CHANNEL
    1.6V
    34A
    -
    TO-220AB
    40 ns
    1.6V @ 15V, 18A
    1550 ns
    50nC
    68A
    22ns/540ns
    260μJ (on), 3.45mJ (off)
    20V
    6V
    15.24mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    250
    30
    22 ns
    590ns
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