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首页 全部分类 IRG4BC30UDPBF vs HGTP12N60C3D

IRG4BC30UDPBF备选型号: HGTP12N60C3D

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • 极性
  • Infineon Technologies
    IRG4BC30UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 23A 100W TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    1.95V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    600V
    100W
    23A
    Single
    100W
    COLLECTOR
    Standard
    40 ns
    电源控制
    21ns
    N-CHANNEL
    2.1V
    23A
    42 ns
    TO-220AB
    62 ns
    2.1V @ 15V, 12A
    300 ns
    50nC
    92A
    40ns/91ns
    380μJ (on), 160μJ (off)
    20V
    6V
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTP12N60C3D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 24A 104W TO220AB
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    1.65V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    600V
    104W
    24A
    Single
    104W
    COLLECTOR
    Standard
    28 μs
    MOTOR CONTROL
    -
    -
    600V
    24A
    40 ns
    TO-220AB
    48 ns
    2.2V @ 15V, 15A
    480 ns
    48nC
    96A
    -
    380μJ (on), 900μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    HGTP12N60
    NPN
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