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首页 全部分类 IRG4IBC20UDPBF vs SGS13N60UFDTU

IRG4IBC20UDPBF备选型号: SGS13N60UFDTU

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • Infineon Technologies
    IRG4IBC20UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.299997g
    SILICON
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    600V
    34W
    11.4A
    Single
    34W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    17ns
    N-CHANNEL
    2.1V
    11.4A
    37 ns
    TO-220AB
    55 ns
    2.1V @ 15V, 6.5A
    320 ns
    27nC
    52A
    39ns/93ns
    160μJ (on), 130μJ (off)
    20V
    6V
    170ns
    16.129mm
    10.7442mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    SGS13N60UFDTU
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 13A 45W TO220F
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    -
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    600V
    45W
    6.5A
    Single
    45W
    -
    Standard
    -
    -
    -
    600V
    13A
    55ns
    -
    -
    2.6V @ 15V, 6.5A
    -
    25nC
    52A
    20ns/70ns
    85μJ (on), 95μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SG*13N60
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