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首页 全部分类 IRG4IBC20WPBF vs STGF10NC60KD

IRG4IBC20WPBF备选型号: STGF10NC60KD

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRG4IBC20WPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 12A 34W TO220FP
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    600V
    2.16V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    低导通损耗
    600V
    34W
    SINGLE
    11.8A
    Dual
    34W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    14ns
    N-CHANNEL
    2.6V
    12A
    TO-220AB
    36 ns
    2.6V @ 15V, 6.5A
    300 ns
    26nC
    52A
    22ns/110ns
    60μJ (on), 80μJ (off)
    20V
    6V
    96ns
    14.224mm
    10.7442mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGF10NC60KD
    STMicroelectronics
    In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    600V
    25W
    -
    9A
    Single
    25W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    6ns
    N-CHANNEL
    600V
    9A
    TO-220AB
    23 ns
    2.5V @ 15V, 5A
    242 ns
    19nC
    30A
    17ns/72ns
    55μJ (on), 85μJ (off)
    20V
    7V
    -
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    PowerMESH™
    e3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STGF10
    3
    6 ns
    22 ns
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