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首页 全部分类 IRG4PC30SPBF vs HGTG7N60A4D

IRG4PC30SPBF备选型号: HGTG7N60A4D

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 反向恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRG4PC30SPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 34A 100W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    1.6V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2003
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    600V
    100W
    SINGLE
    34A
    Dual
    100W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    19ns
    N-CHANNEL
    1.6V
    34A
    TO-247AC
    40 ns
    1.6V @ 15V, 18A
    1550 ns
    50nC
    68A
    22ns/540ns
    260μJ (on), 3.45mJ (off)
    20V
    6V
    590ns
    20.2946mm
    15.875mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG7N60A4D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 34A 125W TO247
    44 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    600V
    125W
    -
    34A
    Single
    125W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    600V
    34A
    -
    17 ns
    2.7V @ 15V, 7A
    205 ns
    37nC
    56A
    11ns/100ns
    55μJ (on), 60μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    22 ns
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