IRG4PC50FPBF备选型号: IRG4PC50KPBF

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  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 终止次数
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  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
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  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 晶体管应用
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 70A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.6V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2000
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    600V
    200W
    70A
    Single
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    31 ns
    25ns
    N-CHANNEL
    1.6V
    70A
    TO-247AC
    52 ns
    1.6V @ 15V, 39A
    620 ns
    190nC
    280A
    31ns/240ns
    370μJ (on), 2.1mJ (off)
    20V
    6V
    190ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 52A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.84V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    600V
    200W
    52A
    Single
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    38 ns
    34ns
    N-CHANNEL
    2.2V
    52A
    TO-247AC
    72 ns
    2.2V @ 15V, 30A
    430 ns
    200nC
    104A
    38ns/160ns
    490μJ (on), 680μJ (off)
    20V
    6V
    120ns
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    低导通损耗
    250
    30
    电源控制
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