Infineon Technologies IRG4PC50WPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.3V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 27A, 5 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

120 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2000

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

200W

端子位置

SINGLE

额定电流

55A

元素配置

Dual

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

46 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

33ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.3V

最大集电极电流

55A

JEDEC-95代码

TO-247AC

接通时间

74 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 27A

关断时间-标准值（toff)

272 ns

闸门收费

180nC

集极脉冲电流（Icm）

220A

Td（开/关）@25°C

46ns/120ns

开关能量

80μJ (on), 320μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

86ns

高度

20.2946mm

长度

15.875mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅