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首页 全部分类 IRG4PF50WPBF vs APT35GA90B

IRG4PF50WPBF备选型号: APT35GA90B

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    IRG4PF50WPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 900V 51A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    900V
    2.25V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    低导通损耗
    600V
    200W
    SINGLE
    51A
    Dual
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    29 ns
    电源控制
    26ns
    N-CHANNEL
    2.7V
    51A
    TO-247AC
    54 ns
    2.7V @ 15V, 28A
    370 ns
    160nC
    204A
    29ns/110ns
    190μJ (on), 1.06mJ (off)
    20V
    6V
    220ns
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT35GA90B
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 63A 290W TO-247
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    SILICON
    900V
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    低导通损耗
    -
    290W
    -
    -
    Single
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    900V
    63A
    -
    25 ns
    3.1V @ 15V, 18A
    298 ns
    84nC
    105A
    12ns/104ns
    642μJ (on), 382μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    POWER MOS 8™
    e1
    yes
    锡银铜
    3
    R-PSFM-T3
    290W
    PT
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