IRG4PF50WPBF备选型号: IXYH24N90C3D1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • Infineon Technologies
    IGBT 900V 51A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    900V
    2.25V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    低导通损耗
    600V
    200W
    SINGLE
    51A
    Dual
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    29 ns
    电源控制
    26ns
    N-CHANNEL
    2.7V
    51A
    TO-247AC
    54 ns
    2.7V @ 15V, 28A
    370 ns
    160nC
    204A
    29ns/110ns
    190μJ (on), 1.06mJ (off)
    20V
    6V
    220ns
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IGBT Transistors 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    38.000013g
    SILICON
    900V
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    雪崩 额定
    -
    200W
    -
    -
    Single
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    2.7V
    44A
    TO-247AD
    60 ns
    2.7V @ 15V, 24A
    215 ns
    40nC
    105A
    20ns/73ns
    1.35mJ (on), 400μJ (off)
    20V
    6V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    GenX3™, XPT™
    3
    R-PSFM-T3
    200W
    340 ns
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1 IXYS 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT Transistors 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode 对比
IXXH30N65B4 IXXH30N65B4 IXYS 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT Transistors 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT 对比
FGH30T65UPDT-F155 FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 650V 60A 250W TO247-3 对比