IRG4PF50WPBF备选型号: IXYH24N90C3D1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 功率 - 最大
- 反向恢复时间
- IGBT 900V 51A 200W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013gSILICON900V2.25V-55°C~150°C TJTube2004最后一次购买1 (Unlimited)3通孔EAR99低导通损耗600V200WSINGLE51ADual200WCOLLECTORStandard29 ns电源控制26nsN-CHANNEL2.7V51ATO-247AC54 ns2.7V @ 15V, 28A370 ns160nC204A29ns/110ns190μJ (on), 1.06mJ (off)20V6V220ns20.3mm15.875mm5.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- IGBT Transistors 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode8 Weeks通孔通孔TO-247-3-38.000013gSILICON900V2.7V-55°C~150°C TJTube2013活跃1 (Unlimited)3--雪崩 额定-200W--Single-COLLECTORStandard-电源控制-N-CHANNEL2.7V44ATO-247AD60 ns2.7V @ 15V, 24A215 ns40nC105A20ns/73ns1.35mJ (on), 400μJ (off)20V6V------ROHS3 Compliant-GenX3™, XPT™3R-PSFM-T3200W340 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXYH24N90C3D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode | 对比 |
![]() | IXXH30N65B4 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT | 对比 |
| FGH30T65UPDT-F155 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 60A 250W TO247-3 | 对比 |




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