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首页 全部分类 IRG4RC10UDPBF vs SGR6N60UFTM

IRG4RC10UDPBF备选型号: SGR6N60UFTM

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  • 反向恢复时间
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  • 接通时间
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRG4RC10UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    350.003213mg
    SILICON
    600V
    2.6V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    低导通损耗
    600V
    38W
    鸥翼
    260
    8.5A
    30
    IRG4RC10UDPBF
    R-PSSO-G2
    Single
    38W
    COLLECTOR
    Standard
    40 ns
    电源控制
    16ns
    N-CHANNEL
    2.6V
    8.5A
    28 ns
    TO-252AA
    600V
    56 ns
    2.6V @ 15V, 5A
    345 ns
    15nC
    34A
    40ns/87ns
    140μJ (on), 120μJ (off)
    20V
    210ns
    1.2446mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    含铅
  • ON Semiconductor
    SGR6N60UFTM
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 6A 30W DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    -
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    600V
    30W
    -
    -
    3A
    -
    SG*6N60
    -
    Single
    30W
    -
    Standard
    -
    -
    -
    -
    600V
    6A
    -
    -
    -
    -
    2.6V @ 15V, 3A
    -
    15nC
    25A
    15ns/60ns
    57μJ (on), 25μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
  • 添加型号
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