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首页 全部分类 IRG6S330UPBF vs ISL9V3036S3ST

IRG6S330UPBF备选型号: ISL9V3036S3ST

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • Infineon Technologies
    IRG6S330UPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 330V 70A 160W D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK
    330V
    2.1V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    160W
    Single
    160W
    Standard
    160W
    2.1V
    70A
    330V
    2.1V @ 15V, 70A
    Trench
    86nC
    39ns/120ns
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    ISL9V3036S3ST
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 350V 21A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    360V
    -
    -40°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150W
    Single
    150W
    Logic
    -
    1.58V
    21A
    -
    1.6V @ 4V, 6A
    -
    17nC
    -/4.8μs
    无
    ROHS3 Compliant
    7 Weeks
    1.31247g
    SILICON
    EcoSPARK®
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    360V
    鸥翼
    21A
    ISL9V3036
    R-PSSO-G2
    7000ns
    COLLECTOR
    700 ns
    360V
    汽车点火装置
    N-CHANNEL
    360V
    2800 ns
    7600 ns
    12V
    2.2V
    15000ns
    无铅
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