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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥33.860742
10
¥31.944093
100
¥30.135941
500
¥28.430135
1000
¥26.820882
ON Semiconductor ISL9V3036S3ST
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- 对比
ISL9V3036S3ST
1807-ISL9V3036S3ST
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Trans IGBT Chip N-CH 350V 21A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ISL9V3036S3ST详情
ON Semiconductor ISL9V3036S3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.31247g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
360V
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 1k Ω, 5V
Turn Off Delay Time
4.8 μs
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
EcoSPARK®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
360V
最大功率耗散
150W
终端形式
鸥翼
额定电流
21A
基本部件号
ISL9V3036
JESD-30代码
R-PSSO-G2
上升时间-最大值
7000ns
元素配置
Single
功率耗散
150W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Logic
接通延迟时间
700 ns
箝位电压
360V
晶体管应用
汽车点火装置
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.58V
最大集电极电流
21A
最大击穿电压
360V
接通时间
2800 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.6V @ 4V, 6A
关断时间-标准值(toff)
7600 ns
闸门收费
17nC
Td(开/关)@25°C
-/4.8μs
栅极-发射极电压-最大值
12V
栅极-发射极Thr电压-最大值
2.2V
最大下降时间 (tf)
15000ns
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ISL9V3036S3ST拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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