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IRG7PH35UDPBF备选型号: IRG4PH40UPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 上升时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • Infineon Technologies
    IRG7PH35UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 50A 180W TO247AC
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    180W
    Single
    180W
    COLLECTOR
    Standard
    30 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    50A
    105 ns
    TO-247AC
    1200V
    45 ns
    2.2V @ 15V, 20A
    400 ns
    Trench
    85nC
    60A
    30ns/160ns
    1.06mJ (on), 620μJ (off)
    6V
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PH40UPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 41A 160W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    2.43V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2000
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    160W
    Single
    160W
    COLLECTOR
    Standard
    24 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    3.1V
    41A
    -
    TO-247AC
    1200V
    49 ns
    3.1V @ 15V, 21A
    690 ns
    -
    86nC
    82A
    24ns/220ns
    1.04mJ (on), 3.4mJ (off)
    3V
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    低导通损耗
    1.2kV
    41A
    18ns
    20V
    190ns
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