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首页 全部分类 IRG7PH42UD-EP vs FGH40T120SMD-F155

IRG7PH42UD-EP备选型号: FGH40T120SMD-F155

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  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
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  • 连续集电极电流
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • Infineon Technologies
    IRG7PH42UD-EP
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 85A 320W TO247AD
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    320W
    41ns
    Single
    320W
    COLLECTOR
    Standard
    25 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    2V
    85A
    153 ns
    TO-247AD
    1200V
    51 ns
    2V @ 15V, 30A
    444 ns
    Trench
    157nC
    90A
    25ns/229ns
    2.11mJ (on), 1.18mJ (off)
    6V
    86ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40T120SMD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    -
    1.2kV
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    555W
    -
    Single
    555W
    -
    Standard
    40 ns
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    65 ns
    -
    1200V
    -
    2.4V @ 15V, 40A
    -
    沟渠现场停车
    370nC
    160A
    40ns/475ns
    2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
    7.5V
    -
    24.75mm
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    Tin
    yes
    175°C
    80A
    25V
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