IRG7PSH50UDPBF备选型号: IRG8P60N120KDPBF

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 上升时间-最大值
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Reach合规守则
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IGBT 1200V 116A 462W TO274
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    镍外哑光锡
    462W
    260
    40
    R-PSFM-T3
    60ns
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    462W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2V
    116A
    190 ns
    1200V
    70 ns
    2V @ 15V, 50A
    650 ns
    Trench
    440nC
    150A
    35ns/430ns
    3.6mJ (on), 2.2mJ (off)
    30V
    6V
    65ns
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2014
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    420W
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    -
    2V
    60A
    210 ns
    1200V
    -
    2V @ 15V, 40A
    -
    -
    345nC
    120A
    40ns/240ns
    2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    1.7V
    unknown
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
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