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首页 全部分类 IRGB20B60PD1PBF vs HGTP7N60A4

IRGB20B60PD1PBF备选型号: HGTP7N60A4

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  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
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  • Infineon Technologies
    IRGB20B60PD1PBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 40A 215W TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    6.000006g
    600V
    2.05V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    150°C
    -55°C
    600V
    215W
    40A
    Single
    215W
    Standard
    20 ns
    215W
    5ns
    2.8V
    40A
    28 ns
    600V
    2.8V @ 15V, 20A
    NPT
    68nC
    80A
    20ns/115ns
    95μJ (on), 100μJ (off)
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTP7N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 34A 125W TO220AB
    44 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    1.8g
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    600V
    125W
    34A
    Single
    125W
    Standard
    11 ns
    -
    11ns
    600V
    34A
    -
    -
    2.7V @ 15V, 7A
    -
    37nC
    56A
    11ns/100ns
    55μJ (on), 60μJ (off)
    9.02mm
    10.28mm
    4.57mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    HGTP7N60
    COLLECTOR
    电源控制
    N-CHANNEL
    TO-220AB
    17 ns
    205 ns
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