IRGB4064DPBF备选型号: STGP10H60DF

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 20A 101W TO220AB
    99 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    SILICON
    600V
    1.6V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    101W
    Single
    101W
    COLLECTOR
    Standard
    27 ns
    电源控制
    15ns
    N-CHANNEL
    1.91V
    20A
    62 ns
    TO-220AB
    43 ns
    1.91V @ 15V, 10A
    131 ns
    Trench
    21nC
    40A
    27ns/79ns
    29μJ (on), 200μJ (off)
    6.5V
    9.02mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    IGBT 600V 20A 115W TO220
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    -
    600V
    1.5V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    EAR99
    115W
    Single
    -
    -
    Standard
    -
    -
    -
    -
    600V
    20A
    107 ns
    -
    -
    1.95V @ 15V, 10A
    -
    沟渠现场停车
    57nC
    40A
    19.5ns/103ns
    83μJ (on), 140μJ (off)
    -
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    STGP10
    115W
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