IRGB4620DPBF备选型号: NGTB15N60R2FG
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- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 无铅代码
- 无铅
- IGBT 600V 32A 140W TO22016 Weeks通孔通孔TO-220-33600V1.55V-40°C~175°C TJTube2013活跃1 (Unlimited)EAR99140W未说明未说明SingleStandard140WN-CHANNEL1.85V32A68 ns1.85V @ 15V, 12A25nC36A31ns/83ns75μJ (on), 225μJ (off)20V6.5V16.51mm10.67mm4.83mm无SVHCROHS3 Compliant---
- ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins4 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack3600V1.85V175°C TJTube2007活跃1 (Unlimited)-54W--SingleStandard54W-2.1V24A95 ns2.1V @ 15V, 15A80nC60A70ns/190ns550μJ (on), 220μJ (off)--15.87mm10.16mm4.7mm无SVHCROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 3 days ago)yes无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGF20H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 40A 37W TO220FP | 对比 |
![]() | STGF10NB60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins | 对比 |
![]() | NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins | 对比 |





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