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首页 全部分类 IRGP30B120KD-EP vs STGW25M120DF3

IRGP30B120KD-EP备选型号: STGW25M120DF3

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Infineon Technologies
    IRGP30B120KD-EP
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    TO-247AD
    1.2kV
    2.28V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1.2kV
    300W
    60A
    Single
    300W
    Standard
    50 ns
    300W
    25ns
    4V
    60A
    300 ns
    1200V
    4V @ 15V, 60A
    NPT
    169nC
    120A
    1.07mJ (on), 1.49mJ (off)
    18.7mm
    15.6972mm
    5.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW25M120DF3
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    375W
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    375W
    -
    1.2kV
    50A
    265 ns
    1200V
    2.3V @ 15V, 25A
    沟渠现场停车
    85nC
    100A
    850μJ (on), 1.3mJ (off)
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    38.000013g
    EAR99
    未说明
    未说明
    STGW25
    N-CHANNEL
    28ns/150ns
    20V
    7V
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