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首页 全部分类 IRGP4263DPBF vs IXXH60N65B4H1

IRGP4263DPBF备选型号: IXXH60N65B4H1

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 功率耗散
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    IRGP4263DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 650V 90A 325W TO-247
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    650V
    1.7V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    325W
    80ns
    Single
    Standard
    325W
    N-CHANNEL
    2.1V
    90A
    170 ns
    2.1V @ 15V, 48A
    145nC
    192A
    70ns/140ns
    2.9mJ (on), 1.4mJ (off)
    20V
    7.7V
    50ns
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH60N65B4H1
    IXYS
    IGBT Transistors 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    650V
    1.7V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    380W
    -
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    2V
    116A
    150ns
    2V @ 15V, 60A
    95nC
    230A
    37ns/145ns
    3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
    20V
    6.5V
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    GenX4™, XPT™
    380W
    PT
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