IRGP4790DPBF备选型号: IXXH60N65B4H1

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  • 最大功率耗散
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  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 系列
  • 功率耗散
  • 极性/通道类型
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Infineon Technologies
    IGBT 650V TO-247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    650V
    1.7V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    455W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    455W
    2V
    140A
    170 ns
    2V @ 15V, 75A
    210nC
    225A
    50ns/200ns
    2.5mJ (on), 2.2mJ (off)
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IGBT Transistors 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    650V
    1.7V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    380W
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    2V
    116A
    150ns
    2V @ 15V, 60A
    95nC
    230A
    37ns/145ns
    3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    GenX4™, XPT™
    380W
    N-CHANNEL
    PT
    20V
    6.5V
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