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首页 全部分类 IRGP50B60PDPBF vs STGY40NC60VD

IRGP50B60PDPBF备选型号: STGY40NC60VD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 高度
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  • 宽度
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  • 无铅
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  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • Infineon Technologies
    IRGP50B60PDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 75A 370W TO247AC
    14 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2004
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
    600V
    370W
    75A
    Single
    370W
    COLLECTOR
    Standard
    33 ns
    电源控制
    26ns
    N-CHANNEL
    600V
    75A
    50 ns
    TO-247AC
    59 ns
    2.6V @ 15V, 50A
    150°C
    75A
    190 ns
    NPT
    240nC
    150A
    34ns/130ns
    360μJ (on), 380μJ (off)
    20V
    5V
    65ns
    24.99mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGY40NC60VD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGY40NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, MAX-247, 3 Pins
    8 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    600V
    260W
    50A
    Single
    260W
    -
    Standard
    43 ns
    电源控制
    19ns
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    44ns
    -
    61 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    -
    -
    247 ns
    -
    214nC
    -
    43ns/140ns
    330μJ (on), 720μJ (off)
    20V
    5.75V
    -
    20.3mm
    15.9mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    PowerMESH™
    e3
    Tin (Sn)
    STGY40
    3
    600V
    50A
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