IRGPS46160DPBF备选型号: IXXX110N65B4H1

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  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • Td(开/关)@25°C
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  • 宽度
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  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 极性/通道类型
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 240A 750W SUPER247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    600V
    1.7V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    750W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    750W
    2.05V
    240A
    130 ns
    2.05V @ 15V, 120A
    240nC
    360A
    80ns/190ns
    5.75mJ (on), 3.43mJ (off)
    20.8mm
    16.1mm
    5.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    650V
    1.75V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    880W
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    2.1V
    240A
    100 ns
    2.1V @ 15V, 110A
    183nC
    630A
    38ns/156ns
    2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    GenX4™, XPT™
    e3
    Matte Tin (Sn)
    not_compliant
    110N65
    880W
    26 ns
    N-CHANNEL
    PT
    20V
    6.5V
    无铅
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