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IRGS8B60KPBF备选型号: HGT1S7N60A4DS
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 反向恢复时间
IGBT 600V 28A 167W D2PAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V2.2V-55°C~175°C TJTube2004e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier600V167W鸥翼26028A30IRGS8B60KPBFR-PSSO-G2Single167WCOLLECTORStandardMOTOR CONTROL22nsN-CHANNEL2.2V28A43 ns2.2V @ 15V, 8A220 nsNPT29nC34A23ns/140ns160μJ (on), 160μJ (off)20V5.5V56ns4.572mm10.668mm9.65mm无符合RoHS标准无铅-
IGBT 600V 34A 125W TO263AB-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-600V1.9V-55°C~150°C TJTube--Obsolete1 (Unlimited)----125W------Single125W-Standard---600V34A-2.7V @ 15V, 7A--37nC56A11ns/100ns55μJ (on), 60μJ (off)-------符合RoHS标准-22 ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGB20N6S2D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 28A 125W TO263AB | 对比 |
| SGW23N60UFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | 对比 |
| IRGS10B60KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 22A 156W D2PAK | 对比 |
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