IRGSL10B60KDPBF备选型号: IRGSL4B60KD1PBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 上升时间-最大值
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 箱体转运
- 上升时间
- 最大下降时间 (tf)
- IGBT 600V 22A 156W TO220-316 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA32.084002gSILICON600V2.2V-55°C~150°C TJTube2004e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier156W2604028nsSingle156WStandardMOTOR CONTROLN-CHANNEL2.2V22A90 ns50 ns2.2V @ 15V, 10A276 nsNPT38nC44A30ns/230ns140μJ (on), 250μJ (off)20V5.5V9.652mm10.668mm4.826mm无SVHC无符合RoHS标准无铅------
- IGBT 600V 11A 63W TO26216 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-SILICON600V2.5V-55°C~175°C TJTube2004e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier63W26030-Single63WStandardMOTOR CONTROLN-CHANNEL2.5V11A93 ns40 ns2.5V @ 15V, 4A199 nsNPT12nC22A22ns/100ns73μJ (on), 47μJ (off)20V5.5V9.652mm10.668mm4.826mm-无符合RoHS标准无铅超快软恢复600V11ACOLLECTOR18ns89ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4BC40W-LPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | IGBT 600V 40A 160W TO262 | 对比 |
![]() | IRGSL6B60KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | IGBT 600V 13A 90W TO262 | 对比 |
![]() | IRGSL4B60KD1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | IGBT 600V 11A 63W TO262 | 对比 |



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