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首页 全部分类 IRL1004PBF vs IRL3803VPBF

IRL1004PBF备选型号: IRL3803VPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRL1004PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    6.5mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    40V
    130A
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 78A, 10V
    1V @ 250μA
    5330pF @ 25V
    100nC @ 4.5V
    210ns
    ±16V
    14 ns
    130A
    1V
    TO-220AB
    16V
    40V
    520A
    40V
    700 mJ
    1 V
    8.77mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL3803VPBF
    Infineon Technologies
    IRL3803VPBF N-channel MOSFET Transistor, 140 A, 30 V, 3-Pin TO-220
    14 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    140A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    30V
    140A
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 71A, 10V
    1V @ 250μA
    3720pF @ 25V
    76nC @ 4.5V
    180ns
    ±16V
    37 ns
    140A
    1V
    TO-220AB
    16V
    30V
    470A
    -
    400 mJ
    -
    16.51mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    75A
    0.0055Ohm
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