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首页 全部分类 IRL2203NPBF vs FDP8896

IRL2203NPBF备选型号: FDP8896

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压
  • 电流
  • Infineon Technologies
    IRL2203NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
    14 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    116A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    7MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    30V
    116A
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    130W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 60A, 10V
    1V @ 250μA
    3290pF @ 25V
    60nC @ 4.5V
    160ns
    ±16V
    66 ns
    116A
    1V
    TO-220AB
    16V
    75A
    30V
    400A
    30V
    290 mJ
    84 ns
    1 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8896
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    10 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    16A Ta 92A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    5.9MOhm
    -
    30V
    92A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2525pF @ 15V
    67nC @ 10V
    103ns
    ±20V
    44 ns
    92A
    -
    TO-220AB
    20V
    -
    30V
    -
    -
    74 mJ
    -
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    30V
    60A
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