IRL2203NSTRRPBF备选型号: STB85NF3LLT4

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK
    116A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    30V
    116A
    Single
    170W
    11 ns
    N-Channel
    7mOhm @ 60A, 10V
    3V @ 250μA
    3290pF @ 25V
    60nC @ 4.5V
    160ns
    30V
    ±16V
    66 ns
    116A
    16V
    30V
    3.29nF
    10mOhm
    7 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 30 Volt 85 Amp
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    85A Tc
    -65°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    30V
    85A
    Single
    110W
    22 ns
    N-Channel
    8m Ω @ 40A, 10V
    1V @ 250μA
    2210pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    130ns
    -
    ±16V
    36.5 ns
    85A
    16V
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    8mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    245
    30
    STB85N
    3
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    SWITCHING
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STB85NF3LLT4 STB85NF3LLT4 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-Ch 30 Volt 85 Amp 对比