IRL3303PBF备选型号: FDP6030BL

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    38A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    26MOhm
    175°C
    -55°C
    30V
    34A
    2.54mm
    Single
    56W
    7.4 ns
    N-Channel
    26mOhm @ 20A, 10V
    1V @ 250μA
    870pF @ 25V
    26nC @ 4.5V
    200ns
    30V
    ±16V
    36 ns
    38A
    1V
    16V
    30V
    30V
    870pF
    40mOhm
    26 mΩ
    1 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    40A Tc
    -65°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    18MOhm
    -
    -
    30V
    40A
    -
    Single
    60W
    9 ns
    N-Channel
    18m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    1160pF @ 15V
    17nC @ 5V
    11ns
    -
    ±20V
    8 ns
    40A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    1.8g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    TO-220AB
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