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IRL3705ZPBF备选型号: IRL3705NPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 附加功能
- 螺纹距离
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33TO-220AB75A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004活跃1 (Unlimited)8mOhm175°C-55°C55V75ASingle130W17 nsN-Channel8mOhm @ 52A, 10V3V @ 250μA2880pF @ 25V60nC @ 5V240ns55V±16V83 ns75A3V16V55V55V2.88nF24 ns12mOhm8 mΩ3 V9.017mm10.6426mm4.82mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------- MOSFET N-CH 55V 89A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33-89A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®1997活跃1 (Unlimited)12mOhm--55V89ASingle130W12 nsN-Channel10m Ω @ 46A, 10V2V @ 250μA3600pF @ 25V98nC @ 5V140ns-±16V78 ns89A2V16V55V55V-140 ns--2 V8.77mm10.5156mm4.69mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeTinSILICON3通孔EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY2.54mm增强型MOSFETDRAINSWITCHINGTO-220AB77A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB7546PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Single N-Channel 60 V 7.3 mOhm 87 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3 | 对比 |
| IRL3705NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 89A TO-220AB | 对比 |
 | HUF75344P3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB | 对比 |
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