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首页 全部分类 IRL3713PBF vs FDP8870

IRL3713PBF备选型号: FDP8870

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  • 最小工作温度
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  • 极性/通道类型
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
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  • Infineon Technologies
    IRL3713PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
    14 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    260A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3mOhm
    雪崩 额定
    30V
    250A
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 38A, 10V
    2.5V @ 250μA
    5890pF @ 15V
    110nC @ 4.5V
    160ns
    ±20V
    57 ns
    260A
    2.5V
    TO-220AB
    20V
    75A
    30V
    30V
    2.5 V
    9.017mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8870
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    10 Weeks
    -
    通孔
    -
    TO-220AB
    3
    -
    1
    -
    Tube
    -
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    4.1MOhm
    -
    30V
    160A
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    11 ns
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    105ns
    -
    46 ns
    156A
    2.5V
    -
    20V
    -
    30V
    -
    2.5 V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    160W
    30V
    N-CHANNEL
    5.2nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    4.1mOhm
    4.1 mΩ
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