我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IRL3715SPBF备选型号: IRF3704ZSPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 下降时间（典型值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK54A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C20V54A71WN-Channel14mOhm @ 26A, 10V3V @ 250μA1060pF @ 10V17nC @ 4.5V73ns20V±20V54A3V20V20V1.06nF20mOhm14 mΩ无SVHC符合RoHS标准无铅------------------------- MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-67A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)--20V67A57WN-Channel7.9m Ω @ 21A, 10V2.55V @ 250μA1220pF @ 10V13nC @ 4.5V38ns-±20V67A-20V20V---无SVHC符合RoHS标准无铅SILICONe32EAR997.9MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAIN8.9 nsSWITCHING4.2 ns42A260A17 ns2.1 V4.83mm10.67mm9.65mm无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB8878 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS3806 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | 对比 |
| FDB6030L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。