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IRL3803LPBF备选型号: IRF1405LPBF
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
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MOSFET N-CH 30V 140A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3140A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)30V140A200W14 nsN-Channel6m Ω @ 71A, 10V1V @ 250μA5000pF @ 25V140nC @ 4.5V230ns±16V35 ns140A16V30V1 V9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC无符合RoHS标准无铅-------- MOSFET N-CH 55V 131A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3131A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)55V131A200W13 nsN-Channel5.3mOhm @ 101A, 10V4V @ 250μA5480pF @ 25V260nC @ 10V190ns±20V110 ns131A20V55V-9.65mm10.668mm4.826mm-无符合RoHS标准无铅TO-262175°C-55°C55V5.48nF5.3mOhm5.3 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLSL4030PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 | 对比 |
| AUIRL1404ZL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 160A TO262 | 对比 |
| IRF1405LPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 131A TO-262 | 对比 |
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