您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRL3803PBF vs FDP8870

IRL3803PBF备选型号: FDP8870

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRL3803PBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 0.006 Ohm; Id 140A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs /-16V
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    140A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    6mOhm
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    30V
    140A
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 71A, 10V
    1V @ 250μA
    5000pF @ 25V
    140nC @ 4.5V
    230ns
    ±16V
    35 ns
    140A
    1V
    TO-220AB
    16V
    30V
    470A
    30V
    180 ns
    1 V
    8.77mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8870
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    10 Weeks
    通孔
    -
    TO-220AB
    3
    -
    1
    -
    Tube
    -
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    4.1MOhm
    -
    30V
    160A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    11 ns
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    105ns
    -
    46 ns
    156A
    2.5V
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    2.5 V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    160W
    30V
    N-CHANNEL
    5.2nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    4.1mOhm
    4.1 mΩ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRL7833PBF IRL7833PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB 对比
FDP8870 FDP8870 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220AB MOSFET 30V N-Channel PowerTrench 对比
IRL3803VPBF IRL3803VPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 IRL3803VPBF N-channel MOSFET Transistor, 140 A, 30 V, 3-Pin TO-220 对比