IRL40B215备选型号: AUIRFZ44N
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- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 40V 120A12 WeeksSurface Mount, Through Hole通孔TO-220-33120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明Single21 nsN-Channel2.7m Ω @ 98A, 10V2.4V @ 100μA5225pF @ 25V84nC @ 4.5V40V±20V120A2.4V20V16.51mm10.67mm4.83mmUnknownROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET N-CH 55V 31A TO-220AB8 WeeksSurface Mount, Through Hole通孔TO-220-3349A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2007Obsolete1 (Unlimited)EAR99--Single7.3 nsN-Channel17.5m Ω @ 25A, 10V4V @ 250μA1470pF @ 25V63nC @ 10V-±20V49A2V20V16.51mm10.66mm4.82mm无SVHCROHS3 Compliant-TinSILICON3AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY增强型MOSFET45WDRAINSWITCHING69ns60 nsTO-220AB55V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF2807PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S | 对比 |
![]() | AUIRFZ44N | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 31A TO-220AB | 对比 |



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