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首页 全部分类 IRL40B215 vs BUK7504-40A,127

IRL40B215备选型号: BUK7504-40A,127

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRL40B215
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 120A
    12 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-220-3
    3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    Single
    21 ns
    N-Channel
    2.7m Ω @ 98A, 10V
    2.4V @ 100μA
    5225pF @ 25V
    84nC @ 4.5V
    40V
    ±20V
    120A
    2.4V
    20V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK7504-40A,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
    -
    -
    通孔
    TO-220-3
    -
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    -
    N-Channel
    4.5m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 1mA
    5730pF @ 25V
    117nC @ 10V
    40V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    SILICON
    e3
    3
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    75A
    0.0045Ohm
    794A
    40V
    1600 mJ
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