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首页 全部分类 IRL520NPBF vs FQP13N10L

IRL520NPBF备选型号: FQP13N10L

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  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • Infineon Technologies
    IRL520NPBF
    Infineon Technologies
    In a Tube of 50, IRL520NPBF N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V LogicFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    220mOhm
    镍外哑光锡
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    100V
    250
    10A
    30
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    48W
    DRAIN
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 6A, 10V
    2V @ 250μA
    440pF @ 25V
    20nC @ 5V
    35ns
    ±16V
    22 ns
    10A
    2V
    TO-220AB
    16V
    100V
    100V
    85 mJ
    160 ns
    2 V
    8.77mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP13N10L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    12.8A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    180mOhm
    Tin (Sn)
    快速切换
    100V
    未说明
    12.8A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    65W
    -
    7.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 6.4A, 10V
    2V @ 250μA
    520pF @ 25V
    12nC @ 5V
    220ns
    ±20V
    72 ns
    12.8A
    2V
    TO-220AB
    20V
    100V
    -
    95 mJ
    -
    -
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    yes
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