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首页 全部分类 IRL520NPBF vs RFP12N10L

IRL520NPBF备选型号: RFP12N10L

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 通道数量
  • 电压
  • 电流
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRL520NPBF
    Infineon Technologies
    In a Tube of 50, IRL520NPBF N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V LogicFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    220mOhm
    镍外哑光锡
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    100V
    250
    10A
    30
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    48W
    DRAIN
    4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 6A, 10V
    2V @ 250μA
    440pF @ 25V
    20nC @ 5V
    35ns
    ±16V
    22 ns
    10A
    2V
    TO-220AB
    16V
    100V
    100V
    85 mJ
    160 ns
    2 V
    8.77mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RFP12N10L
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    200mOhm
    Tin (Sn)
    -
    100V
    -
    12A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 12A, 5V
    2V @ 250μA
    900pF @ 25V
    -
    70ns
    ±10V
    80 ns
    12A
    2V
    TO-220AB
    10V
    100V
    -
    -
    -
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4.535924g
    yes
    1
    100V
    12A
    无
  • 添加型号
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