IRL540NPBF备选型号: IRF1310NPBF

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  • 工厂交货时间
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  • 包装/外壳
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 终端
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  • 端子表面处理
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  • 电压 - 额定直流
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  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 通道数量
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 最大结点温度(Tj)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    36A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    53mOhm
    镍外哑光锡
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    100V
    250
    36A
    30
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    44m Ω @ 18A, 10V
    2V @ 250μA
    1800pF @ 25V
    74nC @ 5V
    81ns
    ±16V
    62 ns
    36A
    2V
    TO-220AB
    16V
    100V
    100V
    290 ns
    2 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    100V
    -
    42A
    -
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 22A, 10V
    4V @ 250μA
    1900pF @ 25V
    110nC @ 10V
    56ns
    ±20V
    40 ns
    42A
    2V
    TO-220AB
    20V
    100V
    100V
    270 ns
    4 V
    19.8mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    1
    420 mJ
    175°C
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