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首页 全部分类 IRL610A vs FQP4N25

IRL610A备选型号: FQP4N25

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ON Semiconductor
    IRL610A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    TO-220-3
    3.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    200V
    3.3A
    Single
    33W
    N-Channel
    1.5Ohm @ 1.65A, 5V
    2V @ 250μA
    240pF @ 25V
    9nC @ 5V
    9ns
    200V
    ±20V
    6 ns
    3.3A
    20V
    200V
    240pF
    1.5Ohm
    1.5 Ω
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FQP4N25
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 3.6A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    TO-220-3
    3.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    250V
    3.6A
    Single
    52W
    N-Channel
    1.75Ohm @ 1.8A, 10V
    5V @ 250μA
    200pF @ 25V
    5.6nC @ 10V
    45ns
    250V
    ±30V
    22 ns
    3.6A
    30V
    250V
    200pF
    1.75Ohm
    1.75 Ω
    符合RoHS标准
    无铅
    QFET®
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