ON Semiconductor IRL610A
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IRL610A
1807-IRL610A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220
1最小包装量--
IRL610A详情
ON Semiconductor IRL610A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.3A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Power Dissipation (Max)
33W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1999
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
200V
额定电流
3.3A
元素配置
Single
功率耗散
33W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5Ohm @ 1.65A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
240pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9nC @ 5V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
3.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
200V
输入电容
240pF
漏源电阻
1.5Ohm
最大rds
1.5 Ω
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRL610A拓展信息
ON Semiconductor
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