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IRL8113LPBF备选型号: IPI80N04S404AKSA1
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- 电压 - 额定直流
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- Reach合规守则
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 30V 105A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3105A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)30V未说明105A未说明110WN-Channel6m Ω @ 21A, 10V2.25V @ 250μA2840pF @ 15V35nC @ 4.5V38ns±20V105A20V30V符合RoHS标准无铅---------------
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA380A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2010活跃1 (Unlimited)-未说明-未说明-N-Channel4.6m Ω @ 80A, 10V4V @ 35μA3440pF @ 25V43nC @ 10V12ns±20V80A20V-ROHS3 Compliant含铅16 WeeksSILICONe33EAR99Tin (Sn)SINGLEnot_compliantSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET10 ns无卤素40V0.0046Ohm100 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFSL8403 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 123A TO262 | 对比 |
 | BUK7E1R6-30E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK | 对比 |
| IRF3711ZLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 | 对比 |
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