Infineon Technologies IRL8113LPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

105A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

30V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

105A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

功率耗散

110W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2840pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 4.5V

上升时间

38ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

105A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅