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首页 全部分类 IRL8113PBF vs IRLB8748PBF

IRL8113PBF备选型号: IRLB8748PBF

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • Infineon Technologies
    IRL8113PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
    15 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    105A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    6MOhm
    30V
    105A
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 21A, 10V
    2.25V @ 250μA
    2840pF @ 15V
    35nC @ 4.5V
    38ns
    ±20V
    5 ns
    105A
    2.25V
    TO-220AB
    20V
    42A
    30V
    420A
    30V
    220 mJ
    27 ns
    2.25 V
    8.77mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLB8748PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 30 V 4.8 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    4.8MOhm
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.8m Ω @ 40A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2139pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    96ns
    ±20V
    34 ns
    92A
    -
    TO-220AB
    20V
    78A
    30V
    -
    30V
    -
    35 ns
    1.8 V
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    未说明
    未说明
    不合格
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