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首页 全部分类 IRLB8743PBF vs FDP8896

IRLB8743PBF备选型号: FDP8896

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  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
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  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRLB8743PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    8.7MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 40A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5110pF @ 15V
    54nC @ 4.5V
    92ns
    ±20V
    36 ns
    150A
    1.8V
    TO-220AB
    20V
    78A
    30V
    620A
    30V
    44 ns
    1.8 V
    9.02mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8896
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    16A Ta 92A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    5.9MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2525pF @ 15V
    67nC @ 10V
    103ns
    ±20V
    44 ns
    92A
    -
    TO-220AB
    20V
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    30V
    92A
    30V
    60A
    74 mJ
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