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IRLB8743PBF备选型号: IRLB8721PBF

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRLB8743PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    8.7MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 40A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5110pF @ 15V
    54nC @ 4.5V
    92ns
    ±20V
    36 ns
    150A
    1.8V
    TO-220AB
    20V
    78A
    30V
    620A
    30V
    44 ns
    1.8 V
    9.02mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLB8721PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    62A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    8.7mOhm
    Single
    增强型MOSFET
    65W
    DRAIN
    9.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.7m Ω @ 31A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1077pF @ 15V
    13nC @ 4.5V
    93ns
    ±20V
    17 ns
    62A
    1.8V
    TO-220AB
    20V
    -
    30V
    250A
    30V
    24 ns
    1.8 V
    9.02mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    98 mJ
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