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首页 全部分类 IRLB8748PBF vs NTP90N02G

IRLB8748PBF备选型号: NTP90N02G

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRLB8748PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 30 V 4.8 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    4.8MOhm
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.8m Ω @ 40A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2139pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    96ns
    ±20V
    34 ns
    92A
    TO-220AB
    20V
    78A
    30V
    30V
    35 ns
    1.8 V
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTP90N02G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    90A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    260
    40
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    85W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5.8m Ω @ 90A, 10V
    3V @ 250μA
    2120pF @ 20V
    29nC @ 4.5V
    90ns
    ±20V
    60 ns
    90A
    TO-220AB
    20V
    -
    24V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    24V
    90A
    3
    0.0058Ohm
    200A
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