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首页 全部分类 IRLH5034TR2PBF vs AUIRFS8405

IRLH5034TR2PBF备选型号: AUIRFS8405

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 触点镀层
  • 操作温度
  • ECCN 代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • Vgs（最大值）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRLH5034TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    29A Ta 100A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.6W
    156W
    21 ns
    N-Channel
    2.4mOhm @ 50A, 10V
    2.5V @ 150μA
    4730pF @ 25V
    82nC @ 10V
    54ns
    40V
    21 ns
    100A
    1V
    16V
    40V
    4.73nF
    38 ns
    2.7mOhm
    2.4 mΩ
    1 V
    810μm
    5mm
    5.1562mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFS8405
    Infineon Technologies
    INFINEON AUIRFS8405 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3 V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    120A Tc
    Tube
    HEXFET®
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    163W
    14 ns
    N-Channel
    2.3m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 100μA
    5193pF @ 25V
    161nC @ 10V
    128ns
    -
    77 ns
    120A
    3V
    20V
    40V
    -
    -
    -
    -
    3 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    Tin
    -55°C~175°C TJ
    EAR99
    1
    Single
    ±20V
    无铅
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